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製品名
- Altair FEKO
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カテゴリー
- 電磁界解析事例
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産業分野別
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図１ マイクロストリップ線路
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図2-1 Ｓパラメータ -
図2-2 時間波形
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図4 グランドが分割されたマイクロストリップ線路
図4-1に、放射電力を示します。リファレンスモデルに比べて、グランドが分割されたモデルでは放射電力が非常に大きいことが確認できます。
図4-2に、Sパラメータ(S21)を示します。リファレンスモデルに比べて、グランドが分割されたモデルではレベルが低下していることが確認できます。特に低周波帯での低下が顕著です。
図4-3に、信号源に振幅１Vの台形波を入力した場合の電圧時間波形を示します。Port１は信号源で、Port２は終端で、それぞれ観測された時間波形です。波形の劣化が顕著で、マイクロストリップ線路をほとんど伝搬せずに反射していることが確認できます。
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図5 グランドが追加されたマイクロストリップ線路
図5-1に、放射電力を示します。グランドが分割されたモデルに比べて、グランドが追加されたモデル(図中のTwo grounds)では放射電力が低減されていることが確認できます。
図5-2に、Sパラメータ(S21)を示します。グランドが分割されたモデルに比べて、グランドが追加されたモデルでは低周波帯(200MHz以下)と高周波帯(450MHz以上)でレベルが改善されていることが確認できます。しかしながら、中周波帯(250～450MHz)ではレベルが低下しています。
図5-3に、信号源に振幅１Vの台形波を入力した場合の電圧時間波形を示します。Port１は信号源で、Port２は終端で、それぞれ観測された時間波形です。図4-3の波形に比べて改善されていますが、レファレンスに比べて振幅は若干低下しています。
